[问答]

STM8S003F3P6操作EEPROM会影响FLASH吗？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 各位前辈好，想请教一下，STM8S003F3P6操作EEPROM会影响FLASH吗（具体的读写程序已经写完，只是担心会影响FLASH，因为FLASH的擦写次数只有100次）。PB4和PB5的真开漏输出我现在当做了输入使用（接了上拉电阻，实际使用是OK的）会有什么隐患吗？ 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-5-21 15:41 审核通过
2024-5-21 06:36:18　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答 LY0206 该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答储蓄叛逆该类别下有 32 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答举报辛太励相关推荐 • 如何从scartch编程stm8s003f3p6？ 3127 • STM8S003F3P6如何驱动无刷电机？ 102 • STM8S003F3P6带隙参考是否出现在uC上？ 1067 • 请教STM8S003f3P6和STM8S103f3P6的应用问题 9867 • 关于STM8的问题 3495 • STM8S003F3低功耗问题 44918 • 新唐的N76E003AT20可以完全替换STM8吗？ 193 • STM8S003F3P6在IAR中建立项目，加入CLK.C后，编译报错的原因？ 166 • STM8S003f3P6和STM8S103f3P6这两款通用MCU都可以用在哪些终端产品上？ 176 • 源代码在STM8S003F3P6微控制器中损坏 1836 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 STM8S003F3P6是一款STM8系列的微控制器，它具有EEPROM和FLASH存储器。在回答您的问题之前，我们先了解一下EEPROM和FLASH存储器的基本概念。 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器）是一种非易失性存储器，可以在不擦除的情况下进行多次读写操作。EEPROM通常用于存储小量的数据，如配置参数、校准数据等。 FLASH存储器是一种非易失性存储器，具有较高的存储密度和较低的成本。FLASH存储器在擦除和写入操作时需要较高的电压，而且擦写次数有限（通常为10000次左右）。现在回答您的问题： 1. 操作EEPROM会影响FLASH吗？操作EEPROM不会直接影响FLASH存储器。EEPROM和FLASH存储器是两个独立的存储空间，它们分别有自己的擦写次数限制。但是，如果您在编程过程中不小心将EEPROM的数据写入了FLASH存储器，那么将会消耗FLASH存储器的擦写次数。因此，在编程时需要确保正确地操作EEPROM和FLASH存储器。 2. PB4和PB5的真开漏输出当做输入使用会有什么隐患吗？将PB4和PB5的真开漏输出当做输入使用，并且接了上拉电阻，实际上是可行的。真开漏输出可以配置为输入模式，此时内部上拉电阻将被激活。但是，您需要注意以下几点： - 确保外部电路不会对PB4和PB5产生过高的电流，以免损坏微控制器。 - 如果PB4和PB5需要与其他设备进行通信，确保它们的电平兼容。 - 由于真开漏输出在输入模式下可能存在一定的输入电流，因此需要确保上拉电阻的值足够大，以避免过多的功耗。总之，操作EEPROM不会直接影响FLASH存储器，但是在编程过程中需要注意正确地操作它们。将PB4和PB5的真开漏输出当做输入使用是可行的，但需要注意一些潜在的问题。

2024-5-21 17:09:43 评论举报 h1654155216.9102