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阅读RM0316 的嵌入式闪存章节,无法理解写保护应该如何工作。
a) 4.3.2 写保护说: 它通过配置 WRP[1:0] 选项字节来激活 提到 WRP 的每个其他实例都说我是 WRP[3:0},或者在 FLASH_WRPR 寄存器描述中,它是 32 位,所以我猜 [1:0] 是一个错字。 b) 好的,我们有32 位写保护,4.3.2 写保护说 写保护以2页的粒度实现。 根据4.2.1 闪存组织: 内存组织基于包含128 页的主内存块 在 STM32F303xB/C 和 STM32F358xC 器件中为 2 KB,在256 页中为 2 KB STM32F303xD/E 32 位究竟如何描述 128 页(更不用说 256 页)、每位 2 页的保护? |
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1个回答
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这有点……奇怪,我会说。参见 RM 第 5 节中的表 14。WRP0到WRP3是指FLASH_WRPR中的四个字节。
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
请教:在使用UDE STK时,单片机使用SPC560D30L1,在配置文件怎么设置或选择?里面只有SPC560D40的选项
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