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3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间，也称作死区时间，在这个过程中会产生功率损耗。图5 所示MOSFET 的漏源电压( VDS )和漏源电流(IDS)的关系图可以很好地解释MOSFET 在过渡过程中的开关损耗，从上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期间电压和电流发生瞬变，MOSFET 的电容进行充电、放电。 图5 所示，( VDS )降到最终导通状态(= ID ×
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