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放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
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硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。
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SRAM和DRAM都是随机存储器，机器掉电后，两者的信息都将丢失。它们的最大区别就是：DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给电容充电，即刷新；而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1，所以不需要刷新。另外，SRAM的存取速度比DRAM更高，常用作高速缓冲存储器Cache。
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