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各位大侠： 小弟在此请教一个问题，我们在进行工艺角仿真的时候，不会把温度、电压、工艺的所有组合都进行仿真，一般会选择一些极限的情况进行仿真。根据我得到的信息，一般会把（fast n,fast p,高电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而使得管子变慢，这就与上面的结论矛盾。如果按照管子的阈值电压与温度的关系，最快的情况应该（fast n,fast p,高电压，高温）。
请教各位，1.仿真时最快的情况应该是哪一种？2.如果最快的情况是（fast n,fast p,高电压，低温），如何解释阈值电压与温度成反比这个现象？ 先多谢各位的指教！ 
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4个回答
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把多个器件的corner group起来其实是为了减少仿真的折衷而已
fast和阈值之间的不是完全相关的 而且怎么定group其实是有你自己决定的 比如你叠了cascode，可能阈值太小你忍受不了，那么你就有必要加上SS+高温+低压的group 如果你只是关注速度，其实有FF+低温+高压和SS+高温+低压也就OK了 仿真corner不能太死板 |
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一般的子电路：ff ss tt sf sf 和温度的-40C，25C，125C排列组合整出15个工艺角；
Bandgap等比较重要的子电路：ff ss tt sf fs，温度的-40C，25C，125C，和bipolar的typical slow fast排列组合整出21~45个工艺角； Top仿真（只混合信号电路）将电压源等模拟电路和振荡器、门电路等数字电路换成VerilogA Module后，至少要仿真ff ss tt，和温度的-40C，25C，125C排列组合整出3~9个工艺角。 工艺角几乎不是用来检查性能的，而是检查直流工作点的。如果你指望一个比较器或者是Sensing电路的速度来满足你的指标，那么你的topology是有问题的。 |
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你这种快与慢的分类是做digital的常见做法，digital更关心速度和settel 和hold够不够，即timming问题。做analog不能有这样简单分的想法，一定要知道哪里是这个电路性能的关键点，哪里薄弱点，dc点流多大的欲度，有的放矢，而不是写个脚本跑一堆结果了事。
关于低温速度也好理解，mos的速度不知有vth还有迁移率，影响数字电路开关速度包括powermos rdson更多的是迁移率。[/td] |
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管子的速度和阈值电压之间并不是一个简单单调对应的关系，因为阈值电压只是保证晶体管能形成反型层，也即是源漏之间可以导通，而管子的速度（源漏电流）还要受载流子运动速度（漂移运动）影响。所以单纯考虑速度问题的话，（fast fast,V high,T low)是最快的情况。这样理解对吗？
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