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其中L0为磁珠的等效电感、R0是磁珠的等效电阻,包括直流电阻和交流电阻两部分,其交流电阻随着频率变化而变化,C0是磁珠的杂散电容。由此可知,磁珠阻抗包括电阻R和电抗X两部分。
在甚低频时(低于1MHz),磁珠交流电阻很小,阻抗由电感的感抗和直流电阻并联而成,由于频率低,感抗wL0很小,因而甚低频时磁珠阻抗很小; 在中低频时(1MHz~几十MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠的交流损耗逐渐增大而超过其直流损耗,但总体而言R0依然较小,而随着频率增大,感抗wL0逐渐增大,成为影响磁珠阻抗的主要部分; 在中高频时(几十MHz~几百MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠交流损耗迅速增大,R成为影响磁珠阻抗的主要部分,与此同时,容抗1/wC0减小,与继续增大的感抗wL0相互抵消,使电抗X增大速度减缓并开始下降,最终在某个频率(自谐频率)下降为0; 在甚高频时(大于几百MHz),磁珠交流损耗逐渐减小,因而总阻抗减小。
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其中L0为磁珠的等效电感、R0是磁珠的等效电阻,包括直流电阻和交流电阻两部分,其交流电阻随着频率变化而变化,C0是磁珠的杂散电容。由此可知,磁珠阻抗包括电阻R和电抗X两部分。
在甚低频时(低于1MHz),磁珠交流电阻很小,阻抗由电感的感抗和直流电阻并联而成,由于频率低,感抗wL0很小,因而甚低频时磁珠阻抗很小; 在中低频时(1MHz~几十MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠的交流损耗逐渐增大而超过其直流损耗,但总体而言R0依然较小,而随着频率增大,感抗wL0逐渐增大,成为影响磁珠阻抗的主要部分; 在中高频时(几十MHz~几百MHz,不同铁氧体材料不同),磁珠交流损耗迅速增大,R成为影响磁珠阻抗的主要部分,与此同时,容抗1/wC0减小,与继续增大的感抗wL0相互抵消,使电抗X增大速度减缓并开始下降,最终在某个频率(自谐频率)下降为0; 在甚高频时(大于几百MHz),磁珠交流损耗逐渐减小,因而总阻抗减小。 |
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