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有些应用需要宽松的输出调节功能以及不到 20mA 的电流。对这样的应用来说,采用分立组件打造的线性稳压器是一种低成本高效益的解决方案(图 1)。而对于具有严格的输出调节功能并需要更大电流的应用,则可使用高性能的低压差线性稳压器(LDO)。
图 1:简单的串联稳压器 有两个与图 1 所示电路相关的设计挑战。第一个挑战是要调节输出电压,第二个挑战是要在短路事件中安然无恙。在这篇文章中,笔者将讨论如何用分立组件设计稳健的线性稳压器。 下面是一个用来给微控制器供电的示例: 输入范围:8.4V 至 12.6V。 输出范围:1.71V 至 3.7V。 最大负载电流:Io_max = 20mA。 双极型 NPN 晶体管的选择 NPN 双极型晶体管 Q1 是最重要的组件。笔者首先选择了这种器件。该晶体管应符合下列要求: 集电极至发射极和基极至发射极的击穿电压应超过最高输入电压 Vin_max。 集电极最大允许电流应超过最大负载电流 Io_max。 除了这两项基本要求之外,使用具有备选封装的组件也是一个好主意。当涉及到功耗时,拥有这种灵活性将会简化以后的设计过程。笔者为这种应用选择了具有备选封装和不同额定功率的 NPN 晶体管。 下面是笔者所用 NPN 晶体管的关键特性。 当 IC = 50mA 时: 直流(DC)电流增益 hFE = 60; 集电极 - 发射极最高饱和电压 VCEsat = 300mV; 基极 - 发射极最高饱和电压 VBEsat = 950mV。 齐纳二极管 Dz 的选择 输出电压等于反向齐纳电压 VZ 减去该晶体管基极至发射极电压 VBE。因此,最低反向齐纳电压应符合下述要求(方程式 1): (1) 对于这种应用,笔者选用的一个测试条件是 IZT = 1mA,并选择了一个具有以下特性的齐纳二极管: 当 Vo_min = 1.71V 且 VBE_max= 0.95V 时,Vz_min 应大于 2.65V。 当反向电流 IZT = 1mA 时,最低反向电压 VZ_min = 2.7V。 当反向电流 IZT = 5mA 时,最高反向电压 VZ_max = 3.8V。 基极上拉电阻器 RB 电阻器 RB 可为齐纳二极管和晶体管基极提供电流。在运行条件下,它应提供足够的电流。齐纳二极管反向电流 IZ 应大于 1mA,正如笔者在“齐纳二极管 Dz 的选择”部分所讨论的。方程式 2 可估算出运行所需的最大基极电流: (2) 其中 Hfe_min = 60。因此,IB_max ≈ 0.333mA。 方程式 3 可计算出 RB 的值。笔者使用了一个具有 1%容差的电阻器。 (3) 故此,RB 应小于 4.26kΩ。笔者使用了一个具有 4.22kΩ标准值的电阻器。 添加一个用于输出调节的虚拟负载电阻器 当负载电流为零时,输出电压达到最大值。当 1mA ≤ IZT ≤ 5mA 时,VZ 最大值为 3.8。VBE(on)应大于 0.1V,这样该稳压器的输出就能符合要求。此外,笔者还添加了一个虚拟负载电阻器,以便在无负载条件下汲取集电极电流。 图 2 显示,VBE(on)可作为集电极电流 IC 的函数。当 IC = 0.1mA 时,VBE(on) 大于 0.3V。 图 2:基极 - 发射极导通电压与集电极电流 方程式 4 可计算出该虚拟电阻: (4) 笔者将一个 36kΩ的电阻器添加到了该电路,如图 3 所示。 图 3:具有虚拟负载电阻器的串联稳压器 为短路事件进行的电流限制 图 3 所示电路的输出对地短路将产生较大的集电极电流。一项 PSPICE 仿真结果表明,集电极电流可高达 190mA,见图 4。 图 4:短路仿真结果 晶体管 Q1 的功耗是 2.4W。没有能应对该功耗的封装。 为了限制短路电流,笔者添加了一个电阻器 RC(从 VIN 到晶体管 Q1 的集电极),如图 5 所示。 图 5:具有限流电阻器的串联稳压器 电阻器 RC 将会满足输出调节要求,并能在短路事件中耗散功率。笔者可计算出 RC 的值: 图 6 (5) VCE_Test 是图 1 中所用的集电极 - 发射极电压。笔者为 RC 选择了一个 5%容差的电阻器。采用方程式 5,RC 应小于 271Ω。使用这个估计值,在短路事件中方程式 6 可计算出最坏情况下的 RC 功耗: 图 7 (6) 该功耗约为 0.56W。笔者选择了一个 1W、270Ω的功率电阻器。对于 RC 短路功耗更高的应用,您可把多个电阻器串联以分担功耗。 组件应力分析 就电阻器 RC 而言,在具有最大输入的短路事件中会发生最坏情况下的功耗。采用方程式 6,可计算出最大功耗为 0.59W。 就晶体管 Q1 而言,因为有限流电阻器 RC,所以在短路事件中不会发生最坏情况下的功耗。在正常运行期间 Q1 的功耗是集电极电流的函数,如方程式 7 所示: (7) 当满足下列条件时,会发生最坏的情况: VIN = VIN_max VO = VO_min IC = (VIN_max – VO_min)/(2×RC) 因此,Q1 的最大功耗为(VIN_max – VO_min)2/(4×RC)。在本示例中,它是 110mW。笔者选择了一种额定功率为 350mW、采用 SOT23 封装的小外形晶体管。 至于 RB 的最大功耗,在具有最大输入的短路事件中会发生最坏的情况。跨 RB 的电压等于输入电压减去 VBE(sat)。最大功耗估计为 38mW。 在这篇文章中,笔者描述了具有分立组件的稳健低成本线性稳压器的设计准则。 |
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