|
有没有可能是 Vgs的电压超过了所选MOS的Vgs？
|
|
|
|
|
|
输入110VDC，栅压最多爬到12.9V。一般MOS管最高允许栅压都在20V以上，而且这个电路栅极有超重型旁路，我看栅极击穿的可能性相当小。
|
|
|
|
|
|
建议抓一下上电瞬间的电流峰值。
|
|
|
|
|
|
你的分析1 是对的。MOS管处于过渡过程太久，耗散超限损坏。可考虑用个施密特门驱动栅极。
|
|
|
|
|
|
第一条分析的正确
|
|
|
|
|
|
学习学习，感谢楼主大人的分享，每天都在提高自己
|
|
|
|
|
|
当MOS管处于开启过程太长的时候，MOS管的耗散超过功率管允许最大值的情况下容易烧毁，可以三极管组成施密特门再驱动MOS管栅极，有效控制限制栅极驱动电流瞬间的电流峰值，避免烧毁芯片。
|
|
|
|
|
|
一样的问题一样的电路，2020-4-26 14:17:30 lingjianghu已经问过了： //www.ws-dc.com/jishu_1927627_1_1.html
1. 输入电压110V是交流还是直流？如果输入的是直流110V，经300：40电阻分压后，MOS管GS间的电压13V左右应该是安全的；如果输入是交流110V，经半波整流滤波，并经300：40电阻分压后，MOS管GS间的电压18V左右，加上电网电压不稳定的因素，很可能超过了MOS管的GS安全电压导致MOS管损坏（电网电压不一样，可能就是造成你说的以前这个电路没出问题，现在出问题的原因），一般MOS管GS间的安全电压要小于20V。 2. 用ＭＯＳ管实现缓启动要与并联的电阻协调配合才能起作用，ＭＯＳ管上要并联一个ＮＴＣ电阻。刚上电时，由于Ｇ极上电容的延时作用，ＭＯＳ管未导通，电源电压通过ＮＴＣ电阻给主滤波电容（图中的Ｃ16－Ｃ19）充电，ＮＴＣ在温度较低时阻值较大，所以充电电流相对较小，避免了开机时电流冲击。经过延时后，主滤波电容上的充电电流已经减小，Ｇ极电压升高，ＭＯＳ管导通，短接了ＮＴＣ电阻，减少电阻上的耗电，电路进入正常工作状态。 而你图中与ＭＯＳ并联的14Ｄ470Ｋ是压敏电阻，压敏电阻在整个工作过程中都不导通，除非出现浪涌电压，压敏电阻是用来保护电路及元器件防止过电压的。你这儿用压敏电阻没有起到缓启动的作用，上电时ＭＯＳ管不导通，压敏电阻也不导通，主滤波电容不充电，没电流；延时过后，ＭＯＳ管导通，主滤波电容才开始充电，充电电流很大，直接冲击ＭＯＳ管和电源，起不到缓启动的作用，只是延迟了启动的时间，没有减缓启动的电流。这样的情况下，ＭＯＳ管容易过流过功率损坏也就可想而知了。 所以，与ＭＯＳ并联的启动电阻要用ＮＴＣ电阻（负温度系数热敏电阻），或者用普通大功率电阻，而不能用压敏电阻。如果你一定要用压敏电阻作浪涌保护的话，要把它接到电源输入处，与Ｃ13并联。 3. 不知道你跟2020-4-26 14:17:30 lingjianghu是不是同一位坛友，希望问题是否解决，怎么解决的能有一个回复。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
mos管耐压需要更高哦300v以上才更安全。
|
|
|
|
|
|
采用直流可控硅控制电压，设计更简单可靠。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2020.05.27 该电路不具备控制充电电流的能力。采取RC延缓启动的措施，用以避免立即开通产生的特大冲击电流造成NMOS管的损坏。 110V直流输入，NMOS栅极极限充电电压为12.94V。延缓时间取决于电容C14、C15的充电时间常数和NMOS管的最低启动电压。 1.上电经延时后，NMOS从截止到开通的延缓时间还是很短，电流上升速度快，负载电容短时间内充电完成，峰值电流大。 四个220uF时，峰值电流可高达几个安培。受得了不，要看所用NMOS管了，除了耐压，还有电流和功率。 2.假如电阻R7阻值变大甚至开路，NMOS的栅-源电压将不受限制，必烧无疑！检查R7是否焊牢，阻值是否变大。 3.电容C14和C15一旦失效（容量降低）甚至开路，虽然栅-源电压不会超标，但是上电后栅-源电压瞬间满幅，造成仅有的延缓启动功能缺失或不足，导致NMOS管瞬间开通，峰值电流可达几十上百安培！这是最可怕的事情，检查一下C14、C15吧。 4.若不想重新设计，又不变动原电路，可以采用增强型N-MOSFET，具有减缓电流上升速度从而降低峰值电流的显著效果。 
|
|
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问，请使用“评论”功能。
/6 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
10194
淘帖
11968
赞
