[问答]

PNP三极管饱和导通的讨论

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 2 如图下，输入Vin经过肖特基二极管VT1后，后续电路起到过压保护的作用（过压断开PMOS管）稳压管VT2的稳压值为25V，讨论如果在输入为过压（48V输入）的保护情况现有问题分析如下【1】首先如果电路的过压保护启动了，为什么此时PNP（图中V1）一定是饱和导通？个人理解是，饱和导通时，A点与B点的电压差仅仅为0.7V，这样才使得PMOS关断，而在非饱和导通时，PNP的EC极之间的电阻没有足够小，以致A和B点之间的压差大于PMOS的GS之间的导通电压Vth值（2V），使得PMOS继续导通。【2】PNP未饱和导通时，Vin经过VT1在A点，（此处先暂时不考虑R3），通路是：从A→V1（eb极）→R2→VT2→GND，此时PNP基极电流为（Vin-0.7-VT1）/R2，而在PNP饱和导通时，通路变为：A→V1→R4→GND，此时R4流经的电流即为PNP的集电极电流为（Vin-0.7）/R4。假设PNP的放大倍数为h，如果PNP是饱和导通，那么基极电流乘以h，是要大于还是要小于集电极电流呢？【3】因为PMOS的VGS有幅值限制（10V），所以加上稳压二极管VT3来稳压，这样直接接在PMOS的GS极，需不需要加上限流电阻（类似R1与VT2的关系）？是不是R4就是VT3的限流电阻？另外当输入为48V时，因为VT3稳压为10V，所以B点的电压为38V，这样PMOS的栅极可以承受吗？手册只说Vgs的电压不大于10V，但是未说各个极的电压最大值。【4】R3的作用是增加稳压和保护的可靠性，这个R3如何选值呢？ 2
2019-5-22 14:13:02　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 张程明该类别下有 99 个回答。邀请回答 jf_50240986 该类别下有 83 个回答。邀请回答 shaorc 该类别下有 73 个回答。邀请回答 Music 该类别下有 72 个回答。邀请回答 leetow2006 该类别下有 64 个回答。邀请回答王尚岱该类别下有 43 个回答。邀请回答 CCCLLL 该类别下有 41 个回答。邀请回答 mintsy 该类别下有 39 个回答。邀请回答梅利号该类别下有 38 个回答。邀请回答 wp2010abc 该类别下有 36 个回答。邀请回答河神大人该类别下有 33 个回答。邀请回答熊本熊该类别下有 33 个回答。邀请回答哔哔哔- 该类别下有 32 个回答。邀请回答硬件工程师1 该类别下有 32 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答奇牙虎威该类别下有 31 个回答。邀请回答 Duke 该类别下有 28 个回答。邀请回答 chunhuahua 该类别下有 27 个回答。邀请回答 siyugege 该类别下有 27 个回答。邀请回答谢新貌该类别下有 27 个回答。邀请回答阿城138 该类别下有 26 个回答。邀请回答举报 shaorc 相关推荐 • 关于三极管饱和增益的问题分析 1811 • 三极管导通时压降怎么计算？ 804 • 三极管饱和 7739 • 三极管导通相关 7631 • NPN三极管与PNP三极管有哪些不同 4033 • 9012 PNP三极管控制继电器问题 27905 • 三极管做开关用时Vce电压问题？ 9489 • 三极管驱动蜂鸣器，为什么三极管不在饱和状态？ 10400 • 求解Proteus仿真单片机应用是时电路中三极管pnp的导通问题 11733 • 基极电流IBS式子中为什么饱和导通压降和饱和导通内阻都有？ 12754 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 1、电路设计的目的其实也是要工作在饱和导通状态，假设不是饱和导通状态，那理论放大倍数就是R4/Re，Re是极小的值这样的话放大倍数是远超过hfe的 2、饱和时候hfe是会变小的，所以集电极电流是小于基极电流乘以hfe的 3、R4就是限流电阻了，关于B点电压其实V1导通后会被钳位到47.7V左右而不是38V的，另外假设V1未导通，那G极电压38V，因为增强型MOS的话其实G极和S极之间有一层绝缘层的，等效为一个电容，电容只要两端压差不超过限定值，就不会有击穿的风险，自然不会损坏。 4、R3值的选取，可能要算下了，因为其电流基本就是I3=0.7V/R3了，利用基尔霍夫电流定律流过R2的电路就是IB+I3，假设R2的值固定的话，那自然流过R2的电流就是（47.3V-VC）/R2，可以看出基本固定，这样的话I3增大IB就会减小，其实是起到反馈的作用，这个的话根据你要反馈的等级来计算吧，没有个准值最佳答案

2019-5-22 14:13:03 1 评论举报安亚垒 1 条评论 shaorc 2019-5-23 11:08 谢谢你的回答赞回复举报