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错了，不过只需要修改一个地方就对了，把A点那个1K电阻接到电压从5V改为12V，线路就完全对了
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谢谢您的回复，我更新了一下原理图，MOS管应该是5V的通断，不是12V，您看这回原理图对吗？
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您好，谢谢回复，三极管电阻该大些可以吗？
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你的是5V供电啊，怎么出来12V了。电路控制没问题，电阻参数稍微改下就可以
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MOS管是5V的通断，三极管的发射极也是5V，这样才能控制MOS通断，MOS那里我写成12V了，现在都改为5V了 ，您看一下这样没问题吧？
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如果你只是普通的开关，而不是高速的PWM，这里1K做栅极负载完全够了。
供电如果都是5V，那么非常肯定的告诉你，线路完全可以用。 如果从设计角度求全责备的话，NPN管基极串联的电阻小了点，只是驱动一个1K的负载，串联电阻10K足够，因为MOS门输出低电平足够低，因此你完全不需要那个1K的下拉电阻，单片机输出串联一个10K直接驱动NPN，然后驱动PMOS管开关负载。AO3401,75mΩ，4A SOT-23，这就够了。 |
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你的MOS管G极需要连接一个对地电阻，因为G极内部阻抗无限大，但是介质厚度很薄，所以可能导致在G极有过电压时（静电）很容易损坏MOS管，连接对地电阻后，积累的电荷可以很快泄放，也能增加MOS管开启速度。。
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前辈，您好，集电极那个1K的电阻太小了是基于什么考虑呢？谢谢！
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主要考虑两项：
1、耗电。该电阻中电流在三极管导通时大约为5mA。因为MOS管直流输入电阻非常大，通常驱动MOS管不必这么大电流。 2、MOS管导通和截止转换速度。如果要求MOS管从导通到截止(关断)时间很短(例如开关电源中)，那么该电阻就必须较小(该电阻与MOS管输入电容构成RC电路)。 但从首帖图中看，MOS管是控制5V直流电源用，不要求很快的速度，所以首帖三极管集电极上电阻完全可以大一些 |
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涨知识了
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分析的很详细，谢谢！
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分析得好，学习了
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2019-8-30 22:34:17
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