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`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。
【关键词】:功率损耗,导通电阻,直流电机驱动,新型,推出,器件,业界,应用设计,承载能力,传导损耗 【DOI】:CNKI:SUN:DZZZ.0.2010-04-006 【正文快照】:IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为 ` |
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